|
|||||||||||||||||||
|
|
| ABM光刻机 | |
|
|
| 主要功能及特色: 将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留的是特征图形部分。 |
|
|
主要技术指标： 接触式样曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um 接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）： 0.5 um 支持接近式曝光，特征尺寸CD: --0.8um 硬接触 --1um 20 um 间距时 --2um 50um 间距时 正面对准精度±0.5um 支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻，特征尺寸：100um-300um 支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻 支持真空、接近式、接触式曝光 支持恒定光强或恒定功率模式 |
|
| 联系方式 | |
| 联系人: 黄先富 | |
| 电子邮件： huangxf@lnm.imech.ac.cn | |
| 联系电话： 82543971 | |